РАЗРАБОТКА СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ СЕМИСЕГМЕНТОГО ИНДИКАТОРА

Описание:
Доступные действия
Введите защитный код для скачивания файла и нажмите "Скачать файл"
Защитный код
Введите защитный код

Нажмите на изображение для генерации защитного кода

Текст:

Университетский политехнический колледж 

Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования

 «Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет Петра Великого»

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

Пояснительная записка

Тема:

«РАЗРАБОТКА СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ

СЕМИСЕГМЕНТОГО ИНДИКАТОРА»

КП

09.02.01          3291/52

(номер специальности и группы)

Преподаватель

О. Г. Швайка

(подпись)

(и.,о., фамилия)

Студент

Н. В. Криводубская

(и.,о., фамилия)

Санкт-Петербург

2016


УТВЕРЖДЕНО

Предметной комиссией

«

»

2016 г.

Председатель

ЗАДАНИЕ

На курсовое проектирование по

МДК 01.01. Цифровая схемотехника

 

 

 

студенту

Криводубской Н. В.

«III» курса «3291/52» группы

 

УПК СПбПУ

 

(наименование среднего специального учебного заведения)

 

Тема задания:

Разработка схемы управления работой семисегментного индикатора

 

СЕМИСЕГМЕНТОГО ИНДИКАТОРА»

Курсовой проект на указанную тему выполняется студентом в следующем объеме:

 

 Пояснительная записка

 

Введение

 

 

1. Общая часть

 

1.1. Назначение устройства сравнения

 

1.2. Выбор и обоснование электрической структурной схемы устройства сравнения

 

 

2. Специальная часть

 

2.1.Выбор элементной базы проектируемого устройства

 

2.2. Выбор и обоснование электрической принципиальной схемы устройства:

 

- составление таблицы истинности работы устройства;

 

- минимизация логической функции;

 

- синтез электрической принципиальной схемы в базисе И – НЕ;

 

- описание функционирования устройства сравнения.

 

 

 

3. Расчетная часть проекта

 

3.1. Ориентировочный расчет быстродействия и потребляемой мощности устройства

 

сравнения

 

3.2. Расчет вероятности безотказной работы устройства сравнения и среднего времени

 

наработки на отказ

 

 

4. Графическая часть проекта

 

 

Лист 1. Устройство сравнения. Схема электрическая принципиальная.

 

 

 

 

 

Дата выдачи

Срок окончания

Зав. отделением

Преподаватель


Оглавление

ВВЕДЕНИЕ.. 4

1.      Общая часть. 6

1.1        Назначение проектируемого устройства. 6

На рисунке в виде Черного ящика, показана комбинационная схема (КС), управляющая семисегментным индикатором. 6

1.2. Составление таблицы истинности работы устройства. 7

1.3. Минимизация логической функции. 7

1.4 Функциональная схема устройства. 10

2. Специальная часть. 11

2.1.Выбор элементной базы проектируемого устройства. 11

2.2. Элементная база проектируемого устройства. 13

3. Расчетная часть проекта. 20

3.1. Ориентировочный расчет быстродействия и потребляемой мощности устройства. 20

Заключение. 21

ПРИЛОЖЕНИЕ.. 22

 

 

 

 

 

 

 

 

                                              

ВВЕДЕНИЕ

Микроэлектроника - область современной промышленности, производство кремниевых кристаллов интегральных микросхем. Микроэлектроника - это незыблемый фундамент не только всей современной индустрии информационных и компьютерных технологий, но и очень многих смежных отраслей - бытовой электроники, индустрии развлечений (включая музыку и видео), медицины, военной и автомобильной промышленности и тому подобное.

Следует различать два основных направления развития индустрии производства микросхем. 

Первое - разработка архитектуры, включающая выбор тех или иных функций и особенностей будущих схем, микросхемотехника и компоновку на кристалле функциональных блоков и их элементов, которые воплощают выбранные функции. А также - оптимизация готовых блоков с целью устранения узких мест, повышения производительности и надежности работы будущих схем, упрощения и удешевления их массового производства. Эти работы можно условно назвать "бумажными" - они выполняются "на кончике пера" и существуют лишь в виде компьютерных файлов и чертежей проектов будущих микросхем, что вовсе не исключает многократного компьютерного моделирования физической работы как отдельных блоков, так и микросхемы в целом. Для этого используются специальные, тщательно согласованы с реальными приборами физические модели транзисторов и других функциональных элементов. И чем тщательнее смоделирована работа проекта, тем быстрее и с меньшими ошибками будет изготовлена ​​сама микросхема (имеется в виду ее финальный, массовый вариант). Ведь отладка, поиск и исправление ошибок проектирования в уже готовом кристалле, как правило, значительно сложнее и дороже, чем моделирование на компьютере.

Второй основополагающий направление - это собственно полупроводниковые технологии производства микросхем. Сюда входят научная разработка и воплощение в "кремний" все более быстрых и меньших транзисторов , цепей связи между ними и остальным "обрамлением" микроструктур на кристалле, создание технологий изготовления рисунка линий и транзисторов на поверхности кремния, новых материалов и оборудования для этого, а также "manufacturability" - область знаний о том, как проводить микросхемы высшего качества, более быстрые, большим количеством годных кристаллов на пластине, меньшим числом дефектов и разбросом рабочих параметров.

Большинство компонентов обычной электроники, так же применяются и в микроэлектронике: резисторы , конденсаторы , катушки индуктивности, диоды , транзисторы , изоляторы и проводники, но уже в виде миниатюрных устройств в интегральном исполнении. Цифровые интегральные микросхемы в основном состоят из транзисторов. Аналоговые схемы в основном содержат резисторы и конденсаторы. Катушки индуктивности используются в схемах, работающих на высоких частотах.

С развитием техники, размеры компонентов постоянно уменьшаются. При очень большой степени интеграции компонентов, а следовательно и при максимальной минимизации их размеров, вопрос межэлементных взаимодействия становится очень актуальным. Данная проблема носит название паразитные явления . Одна из основных задач проектировщика - это компенсировать или минимизировать эффект паразитных утечек.

В настоящее время интегральные микросхемы и дискретные полупроводниковые приборы стали основной элементной базой современных устройств промышленной электроники. Совместно с ними применяются резисторы, конденсаторы, дроссели. [1]

1.     Общая часть

1.1            Назначение проектируемого устройства

На рисунке в виде Черного ящика, показана комбинационная схема (КС), управляющая семисегментным индикатором.

На вход схемы подаются различные комбинации двух сигналов X1, X2, X3, X4 (X1- старший). На индикатор предполагается выводить лишь отдельные цифры из множества шестнадцатеричных цифр 0-F. На выходе «Y» должен быть сигнал «1», если соединенный с этим выходом сигмент должен загорется при отображении цифры. Для функциональной схемы использовать запоминающий регистр входах значений синхронизации сигналом «С» и сбрасываемый сигналом «R» требуется:

1.     Составить совмещенную таблицу истинности для «х1-х4» , комплект карт Карно для функции Y, провести совместную минимизацию в СДНФ и записать логические формулы,  выражающие Y через «х1-х4», выполнить преобразование этих формул к виду, обеспечивающему минимально возможную реализацию КС в системе логических элементов ТТЛ в серии типа К155 или К555.

2.     Выполнить принципиальную электрическую схему устройства.

3.     Провести расчет быстродействия и мощности.

1.2. Составление таблицы истинности работы устройства

Таблица истинности - это такая таблица, в которой показываются все выходные состояния элемента для любых комбинации входных сигналов. Иными словами, с помощью таблиц истинности можно определять истинностное значение любого высказывания для всех возможных случаев значений истинности составляющих его высказываний. В основном таблицы истинности применяются в булевой алгебре и в цифровой электронной технике для описания работы логических схем.

Создание таблицы истинности, работы устройства по следующему набору комбинаций :  5, 6, 8, 9, B, C, D, E, F.

X1

X2

X3

X4

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

5

0

1

0

1

0

1

1

1

0

1

1

6

0

1

1

0

0

1

1

1

1

1

1

8

1

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

9

1

0

0

1

1

1

1

1

0

1

1

B

1

0

1

1

0

0

1

1

1

1

1

C

1

1

0

0

0

1

1

0

1

1

0

D

1

1

0

1

1

0

0

1

1

1

1

E

1

1

1

0

0

1

1

1

1

1

0

F

1

1

1

1

0

1

1

1

1

0

0

1.3. Минимизация логической функции

Составляются СДНФ по таблице, строятся карты Карно и минимизируются, для уменьшения количества используемых микросхем.

Карта Карно - это специального вида таблица, которая позволяет упростить процесс поиска минимальных форм и успешно применяется, когда число переменных не превосходит шести. Карты Карно для функций, зависящих от n переменных, представляет собой прямоугольник, разделенный на 2n клеток. Каждой клетке диаграммы ставится в соответствие двоичный n-мерный набор. Значения заданной функции f из таблицы истинности вносятся в нужные квадраты, однако если клетке соответствует 0, то обычно она остается пустой.

Y1= b+f=

 

b

 
Карта Карно для Y1

00

01

11

10

00

1

01

1

1

11

10

f

 

Карта Карно для Y2

c

 

g

 

00

01

11

10

00

1

Y2=a+b+c+g+h =

 

b

 
1

01

1

1

11

1

h

 

10

1

1

a

 

Y3= a+b+c+e+g =

=

 

g

 

c

 
Карта Карно для Y3

00

01

11

b

 
10

00

1

1

01

1

e

 
1

11

1

1

a

 
10

1

1

Y4= a+b+d+e =

 

d

 

b

 
Карта Карно для Y4

00

01

11

10

00

e

 
1

01

1

1

1

11

1

1

10

1

1

a

 

c

 
Карта Карно для Y5

00

01

11

Y5= a+c+e+f =

 
10

00

1

f

 
1

01

1

e

 

11

1

1

10

1

1

a

 

Y6= a+b+c+d+i =

=

 

d

 

c

 
Карта Карно для Y6

00

01

11

10

00

1

1

01

1

1

1

11

1

10

1

1

b

 
 

i

 
 


Y7= b+d+i+k =

 

b

 

d

 
Карта Карно для Y7

00

01

11

10

00

1

01

1

1

1

11

1

10

1

i

 

k

 


1.4 Функциональная схема устройства

На основе карт Карно составлена следующая функциональная схема.

Функциональная схема предназначена для разъяснения процессов, происходящих в отдельных функциональных цепях изделия или изделии в целом.

2. Специальная часть

2.1.Выбор элементной базы проектируемого устройства

Так как в справочниках отсутствуют 4-х входовые элементы ИЛИ, необходимо перейти к элементам в базисе И-НЕ.

Преобразование происходит по закону Де Моргана:

Y1=

Y2=

Y3=

Y4=

Y5=

Y6=

Y7=

Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий (они приведены в таблице)  мною была выбрана 555 серия.

СЕРИЯ

ПАРАМЕТР

ОБОЗНАЧЕНИЕ

ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ

К155

К555

Потребляемая мощность на логический элем-т

Pпот

мВт

10

2

Среднее время задержки распространения

tзд.р

Нс

9

9,5

Энергия переключения

Эпот

пДЖ

90

19

Входной ток лог.  0

Iвх0

мА

1,6

0,4

Входной ток лог. 1

Iвх1

мА

0,04

0,02

Выходной ток лог. 0

Iвых0

мА

16

8

Выходной ток лог.1

Iвых1

мА

0,4

0,4

Сопротивление

кОм

0,4

2

Элементы 555 серии потребляют меньше мощности, у них меньше энергия переключения, меньше входные и выходные токи и так же максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.

В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.

Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.

В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС113А,  он способен отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.

В схеме используется следующие микросхемы серии К555: ЛН1,  ЛА1,  ЛА2,  ЛА3, ЛА4.

2.2. Элементная база проектируемого устройства

   

 

3. Расчетная часть проекта

3.1. Ориентировочный расчет быстродействия и потребляемой мощности устройства

Обозначение

К555ЛН1

К555ЛА1

К555ЛА2

К555ЛА3

К555ЛА4

23,63

7,88

4,2

15,75

11,8

Расчет времени задержки схемы и потребляемая мощность:

Что бы рассчитать потребляемую мощность, необходимо рассчитать мощность резистора и индикатора:

По закону Ома:

,,,

Значит:

Индикатор (АЛ113А):

I = 5 мА

U = 2V

 = 2*5=10 мВт

Резистор (1 кОм) :

U = 5V

R = 1 кОм = 1000Ом

I =

 = 5*5 = 25 мВт


Заключение

В данном курсовом проекте была разработана электрическая принципиальная схема управления семисегментного индикатора.

В процессе выполнения было сделано:

v Составление совмещенной таблицы истинности, минимизация логической функции в СДНФ и запись логических формул для выходов (Y1-Y7);

v Построение карт Карно для функций Y;

v Преобразованы полученные формулы и выделены повторяющиеся контура в картах Карно, что способствует уменьшению количества используемых микросхем и размеров устройства;

v Выполнена функциональная схема устройства, в последствие преобразованная в схему, с использованием элементов И-НЕ;

v Произведен расчет количества используемых элементов и нумерованние их в соответствии с правилом: Сверху вниз слева направо;

v С использованием микросхем серии К555 собрана схема в программе Multisim;

v При использовании справочника по микросхемам К555 и К155 был сделан сравнительный анализ параметров серий и произведены расчеты номиналов резисторов, быстродействия и потребляемой мощности;

Сделана проверка работоспособности схемы над выводами нужных цифр и букв на семисегментный индикатор в программе Multisim.

Разработанное устройство по управлению семисегментным индикатором выводит нужное значение, заданное пользователем. При этом на входы подается сигнал в двоичной системе счисления, а индикатор показывает результат в шестнадцатеричной системе счисления.


ПРИЛОЖЕНИЕ

 


 

Информация о файле
Название файла РАЗРАБОТКА СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ СЕМИСЕГМЕНТОГО ИНДИКАТОРА от пользователя luxokuja
Дата добавления 5.5.2020, 18:09
Дата обновления 5.5.2020, 18:09
Тип файла Тип файла (zip - application/zip)
Скриншот Не доступно
Статистика
Размер файла 1.85 мегабайт (Примерное время скачивания)
Просмотров 1273
Скачиваний 131
Оценить файл